마르크스 발전기

제안을 살펴보고 도매 마르크스 발전기, JFET 트랜지스터 및 기타 통합 제품을 찾으십시오. 반도체는 부분 전도성을 갖는 물질 유형입니다. 반도체 주기율표 위치에는 실리콘, 게르마늄, 갈륨과 같은 원소가 있습니다. 갈륨 비소, 갈륨 질화물, 게르마늄 및 실리콘 반도체가 가장 일반적입니다. 이러한 물질은 "도핑" 과정을 거칩니다. 그 안에 더 많은 전도성 요소가 결정 구조에 삽입됩니다. 인이나 비소 같은 물질을 넣으면 N형 반도체가 생긴다. 붕소나 알루미늄과 같은 물질을 넣으면 P형 반도체가 생긴다. 이러한 P 및 N 유형의 조합은 다이오드, 트랜지스터 및 사이리스터 메커니즘의 기초입니다.

마르크스 발전기 및 다음에서 파생된 구성요소 회로 내에서 전류 흐름을 제한, 제어 및 지시하기 위해 작동합니다. 가장 중요한 활성 구성 요소 중 일부는 트랜지스터와 사이리스터로, SCR(실리콘 제어 정류기)이라고도 합니다. 트랜지스터는 칩이라고도 하는 집적 회로의 중요한 구성 요소입니다. 이러한 회로는 현대 전자 컴퓨팅에 필수적입니다. 이러한 구성 요소를 통한 에너지 흐름은 전자, 전자 정공 또는 둘 다를 경로로 사용할 수 있습니다. 칩 제조업체에서 가장 일반적으로 사용하는 MOSFET 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터입니다. 이것은 전자 정공 또는 전자 중 하나의 경로만 사용한다는 것을 의미합니다. 칩의 MOSFET 트랜지스터를 스위치 및 증폭기로 사용하는 것은 널리 퍼져 있습니다.

Alibaba.com에서 국제 공급업체 및 반도체 회사에 액세스할 수 있습니다. 도매 마르크스 발전기, MOSFET 증폭기, 트랜지스터 BJT 및 FET 구성요소 등을 찾아보십시오. 지금 국제 도매 제품 공급업체에 문의하십시오.